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美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓

簡(jiǎn)要描述：美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓
熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片，用于生產(chǎn)半導體芯片等電子設備。
產(chǎn)品咨詢(xún) 龔經(jīng)理 I8721868497（VX同號）

  • 產(chǎn)品型號：JGS3
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商
  • 更新時(shí)間：2024-12-13
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：545
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美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓 UV、JGS1、JGS2、JGS3

熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片，用于生產(chǎn)半導體芯片等電子設備。熔融石英，也稱(chēng)為熔融石英，是一種高純度和透明的二氧化硅形式，是通過(guò)在高溫下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很強的耐熱性、耐化學(xué)性和耐化學(xué)性，使其成為電子設備生產(chǎn)中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低，它們還用于生產(chǎn)光學(xué)元件，例如鏡頭和鏡子。

美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓

熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3

我們備有所有三個(gè)等級的庫存，供您各自的研究使用

直徑

厚 （um）

波蘭語(yǔ)




50.8 毫米500 微米擦光

JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm，背面粗糙度 Ra <1nm，S/D 40/20




50.8 毫米100 微米DSP
76.2 毫米500 微米DSP


1 平面 JGS2 初級平面 32.5+/-2mm，頂部 Ra <10A，S/D 40/20




100 毫米500 微米DSP

機械級熔融石英




100 毫米500 微米DSP
100 毫米1000 微米DSP


熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um， TTV <10um， 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm， S/D 60/40 平面： 32.5+/-2mm




100 毫米700 微米DSP
100 毫米180 微米DSP


熔融石英晶圓，JGS2，C 坡口，2.50 mm +/- 0.10 mm




100 毫米2500 微米DSP

用于評估熱膨脹和熒光/自發(fā)熒光特性的熔融石英基底

機械性能：

  1. 密度：約 2.2 g/cm3。

  2. 楊氏模量 （E）：通常在 72 GPa（千兆帕）左右，表明其剛度。

  3. 泊松比：大約 0.17，這是相對收縮應變（橫向、橫向或徑向應變）與相對拉伸應變（或軸向應變）的比率。

  4. 硬度：莫氏硬度在 7 左右，使其相對堅硬且耐刮擦。

  5. 抗張強度：通常約為 48 MPa（兆帕）。表面缺陷會(huì )顯著(zhù)降低實(shí)際拉伸強度。

  6. 抗壓強度：超過(guò) 1 GPa，遠高于其抗拉強度。

  7. 熱膨脹系數：非常低，約為 0.55 x 10??/°C，使其在很寬的溫度范圍內保持穩定。

光學(xué)特性：

  1. 折射率：在 589 nm（可見(jiàn)波長(cháng)）處約為 1.4585。該值在不同波長(cháng)上會(huì )略有變化。

  2. 傳輸：熔融石英在紫外線(xiàn) （UV） 到紅外線(xiàn) （IR） 范圍內具有高度透明性。它具有出色的透射率，在紫外到近紅外范圍內通常超過(guò) 90%。

  3. 阿貝數：約為 67.56，表明色散相對較低。

  4. 雙 折射：熔融石英是各向同性的，當它不受應力時(shí)不會(huì )表現出雙折射。

  5. 吸收：熔融石英在紫外到近紅外范圍內的吸收率最小，但在深紫外和遠紅外范圍內的吸收率會(huì )增加。



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